美光科技（Nasdaq: MU）今（16）日發出新聞稿宣布在記憶體創新上締造重要里程碑，成功於多個伺服器平台上展示全球首款512GB DDR5模組。此項成果進一步鞏固美光在高效能、高容量伺服器記憶體領域的領導地位，並為企業資料中心與雲端客戶提供一條途徑，以更高的效率支援大規模且高負載的AI、分析、記憶體資料庫與模擬密集型工作負載。AMD與Intel等領先半導體業者均已積極驗證此模組，其傳輸速率最高可達9200 MT/s。此模組的高容量源自美光先進的垂直互連封裝創新技術，該產品透過矽穿孔（TSV）技術垂直堆疊DRAM晶粒，在單一封裝內將密度最大化，同時維持現代資料中心架構所需的效能表現，可在單一雙路伺服器的24個記憶體插槽中實現最高12TB的DRAM容量。
美光正與領先的生態系夥伴密切合作，針對次世代伺服器平台進行512GB DDR5 RDIMM驗證工作，以確保廣泛的相容性，並為部署導入提供順暢路徑。AMD主管指出，隨著AI與資料密集型工作負載重塑基礎架構需求，與美光的緊密工程合作結合了運算與記憶體創新技術，攜手為現代工作負載日益成長的規模與複雜度打造均衡且高效能的基礎架構。Intel方面亦強調，AI與其他資料密集型工作負載的成長為伺服器基礎架構帶來全新要求，使記憶體容量與頻寬對整體系統效能的重要性日益提升，目前正與美光密切合作驗證該模組，以推動為滿足次世代資料中心工作負載日益增長需求而設計的未來伺服器平台。
大型語言模型、代理型AI、即時推論與高核心數CPU工作負載的快速普及，正驅動市場對更大記憶體容量、更高頻寬與更佳功耗效率的需求。美光512GB RDIMM能讓更龐大的資料集常駐於主記憶體中，降低對慢速儲存層的依賴並減少高成本的資料搬移。全新模組同時提升整體效率，相較於4條128GB組態，運作功耗大幅降低超過60%；對於受記憶體限制的資料分析負載，最高可提供1.4倍效能，並為快取平台帶來提升吞吐量與並行處理等顯著優勢。金融巨頭摩根大通亦表態看好此技術能協助企業強化擴展運算環境的靈活度。美光預計於2027年下半年配合客戶實際需求正式邁入量產階段。
